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编号:13137150
缺血性脑损伤与瞬时受体电位M通道的研究进展(1)
http://www.100md.com 2014年3月1日 《中国医药科学》 2014年第5期
     [摘要] 缺血性脑血管病是临床常见病、多发病,其发病机制复杂。钙超载在缺血性脑损伤中起重要作用。瞬时受体电位M通道(transient receptor potential melastatin,TRPM)是位于细胞膜上的一类重要的非选择性阳离子通道超家族,对钙离子有较高的通透性,在缺血性脑损伤中起重要作用,对TRPM通道的研究将成为治疗缺血性脑损伤新的靶点。本文就胞内钙离子超载在缺血性脑损伤中的作用、TRPM通道及其参与的缺血性脑损伤的机制予以综述。

    [关键词] 脑缺血;钙超载;瞬时受体电位M通道

    [中图分类号] R743.3 [文献标识码] A [文章编号] 2095-0616(2014)05-46-04

    随着世界人口老龄化速度的加快,缺血性脑血管病的发病率逐年升高,现已成为威胁人类生命的最主要疾病之一,因其发病率、致残率和病死率高,给个人、 家庭和社会带来巨大的精神压力和沉重的经济负担。近年来研究发现,脑缺血和缺血后再灌能引起一系列病理和生化的变化,主要表现为脑能量耗竭 ......
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